IRF540 MOSFET CANAL N 100V 33A TO-220
IRF540 MOSFET CANAL N 100V 33A TO-220
NTE2396
Voltaje drenaje-fuente Vds de 100V
Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 44mohm con Vgs de 10V
Disipación de potencia Pd de 130W a 25 °C
Corriente continua de drenaje Id de 33A en Vgs 10V y 25 ° C
Rango de temperatura de unión entre -55°C y 175°C
Aplicaciones: Administración de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo
Confirmar ExistenciasInformación Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 33 A
Tensión denaje-fuente Vds: 100 V
Resistencia de activación Rds(on): 44 mohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 130 mW
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220
Número de pines: 3
